ガリウム／Gallium
- 原子番号：31
- 原 子 量：69.72
- 比 重：5.91
- 融 点：29.8℃
用 途
ガリウムは、AsやPとの化合物半導体、レーザーダイオード、LED, 低融点合金などに用いられ、先端技術を支える重要な金属です。
酸化ガリウムは、ワイドギャップエネルギ―を持つ半導体であり、IGZO系酸化物薄膜トランジスタ（TFT）、パワーデバイス、蛍光体や発光素子材料基板として利用用途が拡大しています。当社では、様々なニーズに合わせた多彩な製品をラインナップしておりお客様の求める純度、形状等に応じて精製・加工し、お届けしています。
| 品名 | 化学式 | 規格 | 用途 | 形状 |
|---|---|---|---|---|
| ガリウム | Ga | 4N,5N | 化合物半導体、電子材料、太陽電池 | 液体（1kgまたは10kgボトル入り） |
酸化ガリウム
用 途
さまざまな用途に応じて、異なるタイプの酸化ガリウムを開発・製造し、ご提供しています。
針状
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当社の酸化ガリウムは、通常の不純物を少なくすることのみならず、徹底した品質管理により、先端電子材料として特に求められるSi濃度の低い製品を安定して供給することをお約束いたします。 |
微粒子状
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当社の球状微粒子酸化ガリウムは、独自の技術により結晶成長を制御することで極めて粒度分布が狭く(約0.5μm～1μm)、均一な球状粒子を実現しております。これにより、特に高密度で低温焼結可能な高品質ターゲット用途として最適です。 |
| 品名 | 化学式 | 規格 | 用途 | 形状 |
|---|---|---|---|---|
| 酸化ガリウム | Ga2O3 | 4N,5N | 電子材料 | 白色粉末（針状、微粒子0.5μm～1μm、顆粒状、酸化ガリウム 高密度焼結体） |
窒化ガリウム
用 途
GaN単結晶原料、GaN薄膜形成原料等にご使用いただけます。
テルル化ガリウム
用 途
光検出器応用材料、GaN製造原料等にご使用いただけます。
ガリウム(Ⅲ)アセチルアセトナート Ga(acac)3
用 途
ガリウム化合物薄膜形成原料等にご使用いただけます。
安全データシート
- 安全データシート[ガリウム]
- 安全データシート[酸化ガリウム]
- 安全データシート[窒化ガリウム]
- 安全データシート[ガリウム(Ⅲ)アセチルアセトナート]
